【京都】ロームは23日、パナソニックからトランジスタやダイオードなどの小信号半導体事業を買収すると発表した。... 買収するのは半導体事業を手がけるパナソニックセミコンダクターソリューションズ(...

【京都】ロームは、次世代材料の炭化ケイ素(SiC)製パワー半導体を内蔵したAC/DC(交流/直流)コンバーターICを世界で初めて開発した。高効率なS...

【京都】ロームは、高速スイッチング時のノイズ抑制と効率性を向上させた金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。MOSFETが持つ低消費電力の特性をより引き出せるの...

【ビジネスワイヤ】半導体メーカーの米トランスフォームは、同社の第3世代JEDEC準拠高電圧GaN(窒化ガリウム)電界効果トランジスタ(FET)プラットフォーム「TP65...

そこでJAXAでは、BDRの小型軽量化のためにスイッチング周波数の高周波化を検討しており、窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN-FET)を適用したメガヘルツスイッチング電源...

ニチコンは理化学研究所などと、次世代の炭化ケイ素(SiC)製パワー半導体素子を使った、X線自由電子レーザー(XFEL)向けパルス電源を共同開発した。...

そこで出力部分で炭化ケイ素(SiC)の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用した。... 2次側の同期整流回路では、既存機種は許容損失の大きなリード...

また京セラは現在、太陽光発電だけでは不足する電力を、固体酸化型燃料電池(SOFC)を使い補完するシステムの研究開発を進める。... そのため現在主力のシリコン半導体より、電力変換効率が...

【名古屋】豊田合成は開発中の窒化ガリウム(GaN)製パワー半導体で、1チップの電流が50アンぺア以上と世界最高クラスの大電流化を実現した。... 同社はこのほど、縦型GaNを使った金属...

ルネサスエレクトロニクスは、宇宙産業向けに放射線耐性を持つ窒化ガリウム(GaN)電界効果トランジスタ(FET)と、GaNFETドライバーICを発売した。... シリコン...

三菱電機は31日、実装面積を従来比で、ほぼ半減にした6・5キロボルト耐圧の炭化ケイ素(SiC)パワー半導体モジュールを開発したと発表した。... 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&...

宇宙航空研究開発機構(JAXA)と富士電機は、放射線耐性に優れ、電流損失を低く抑えられる「宇宙用SJパワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&...

東芝は次世代パワー半導体として期待される窒化ガリウム素子「金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ」(MOSFET)の実用化につながるプロセス技術を開発した。... 東芝は今回、窒化ガリウ...

「車載、産業機器向けの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)に最も力を入れている。... 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は車載に加え、社会イ...

当社は2010年にSiC製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を世界で初めて量産化した。... ゲート酸化膜にかかる電界を低減し、壊れにくくした」 ...

「17年からSiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の量産を始めた。IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)も拡充する。... ディスクリート&#...

新電元工業は従来品比で約1・8倍の大電流を流せる車載用金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発し2018年春から量産を始める。MOSFET内部の接続部品に銅製の薄板を...

同モジュールを構成するトランジスタとダイオードはシリコン(Si)より電力損失が少ないシリコンカーバイド(SiC)製。... 高耐圧チップの開発、パッケージ技術、金属酸化...

トランジスタ回路を微細化できる新構造を採用。... 電流を制御するゲート電極を垂直方向に埋め込む「トレンチ構造」を採用し、トランジスタ回路の幅を従来に比べ半分以下にした。... 従来構造のSiC金属酸...

【京都】ロームは金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「プレストモス」シリーズに、インバーター回路の低消費電力化に適した「R60xxMNxシリーズ=写真」を追加し...