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文字通り、DRAMやフラッシュメモリー、SRAMなど既存技術の“良いとこ取り”を狙う次世代メモリー(記憶素子)のことだ。... 次世代メモリーの前提となる要素を簡単に挙げると、(...

ニューモニクスの株主である米インテルはマイクロンとフラッシュメモリーの生産合弁を行っており、実質3社の技術資産を持ち寄り、次世代メモリーの開発を加速。... また、次世代メモリーの開発も喫緊の課題。....

筑波大学の白石賢二教授らの研究グループは、次世代型メモリーにデータを書き込み・消去する動作原理を原子レベルで解明することに成功した。... メモリーを構成する薄膜の欠陥に電荷を注入してデータを書き込む...

エルピーダメモリは16日、次世代メモリーとして有力視される相変化メモリー(PRAM)の開発を打ち切る方針を明らかにした。... PRAMは「フラッシュメモリーより安価にすることが難しい...

ニューモニクス(本社スイス)は回路線幅45ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを採用した1ギガビット相変化メモリー(PCM)を2010年に出荷する...

【POINT】 1.現行メモリーには微細化の壁 2.低消費電力化や製造技術の確立課題 3.メモリー市場のシェア争いに異変も DRAMや...

また、次世代メモリーの磁気抵抗型メモリー(MRAM)にもターゲット材が使われる。... また、同じく次世代メモリーである相変化メモリー(PCRAM)も「光記録材料向けに...

酸化ユーロピウムは大容量記憶が可能な次世代メモリー用素材になるとして注目されている。

記憶素子に磁性体を用いるMRAMは、半導体メーカー各社が次世代メモリーの一つとして有力視している。 ... メモリーICとして主流のDRAMやNAND型フラッシュメモリーは、回路線幅を20ナノ...

東芝は9日、電源を切っても記憶を保持する不揮発性メモリーで、従来比8倍高速な毎秒1・6ギガバイト(ギガは10億)でデータを転送する強誘電体メモリー(FeRAM)を開発し...

また次世代メモリーとされる磁気抵抗メモリー(MRAM)や大容量ハードディスクのヘッドを高磁場下で製造する技術への応用、汚染物質を磁気で分離する磁気分離マグネットなどさまざまな用途開発を...

実際にメモリー素子を試作、書き込みや高速スイッチング動作など良好な特性が得られたという。次世代メモリーとして早期実用化を目指す。 ... 向かい合う二つの金属電極間に存在するナノギャップは、簡...

さらに、次世代メモリー共同開発や両社工場での相互生産、将来は合弁工場設立も視野に入れていた。

NECは世界最速の500メガヘルツ(メガは100万)で動作する次世代の「不揮発性磁気メモリー(MRAM=用語参照)」を開発した。... NECはこれまでに16メ...

記憶部にハードディスクと同じ磁性体を用いたMRAMは、半導体業界では次世代メモリーとして研究開発が進められている。... MRAMは電源を切っても情報が消えない不揮発性メモリーの一種で、読み書きを高速...

韓国の半導体メモリー大手、サムスン電子が米サンディスクに対して買収を提案した。... だが、メモリー市況の悪化からサムスンの現金持ち高は急速に悪化。... またNANDフラッシュは回路微細化の進展で構...

宇部マテリアルズと日本タングステンは11日、次世代の大容量半導体用メモリーなどの研究開発に使われる酸化マグネシウムのスパッタリングターゲットを共同開発し、製造を始めたと発表した。... 酸化マグネシウ...

半導体メーカーは2012年以降の実用化に向け、次世代メモリーの研究開発に乗り出す。... だが、同20ナノメートル台では現有技術での回路形成が難しいため、抜本的に構造を変えた次世代メモリーが必要になる...

3次元より混載メモリー(記憶素子)を追求していく。多機能をワンチップに集積したシステムLSIにメモリーを混載する際、メモリーを小さくすればその分、多くのトランジスタを集積できる」...

半導体分野では回路の微細化はもちろん、スーパーコンピューター(スパコン)用LSIや新材料・次世代メモリーの開発など数々のプロジェクトが進められている。... 「次世代メモリーとして磁気...

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