三菱電機は炭化ケイ素(SiC)を使った世界最大サイズの1平方センチメートル大のパワー半導体トランジスタを開発した。... 宮崎市で開催中のSiC関連で世界最大の国際会議(ICS...

「“フルSiC”パワーモジュール」は内蔵するダイオードとトランジスタをともにSiC製で構成する。これまでダイオードのみSiC製の“ハイブリッド”モジュールは存在したが、SiC製トランジスタは量産が難し...

ロームは、耐圧1200ボルトで電流容量180アンぺアの炭化ケイ素(SiC)製パワーモジュールを量産すると12日発表した。モジュール内蔵素子をSiC製の金属酸化膜半導体電界効果トランジス...

【京都】大阪大学と京都大学、ローム、東京エレクトロンの研究グループは、高誘電率ゲート絶縁膜を採用した炭化ケイ素(SiC)パワー酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET&#...

三菱電機は9日、材料に炭化ケイ素(SiC)を用いた家電製品・産業機器向けのパワー半導体モジュール5品種を開発したと発表した。SiC製のショットキーバリアダイオード(SBD...

【京都】ロームは汎用性の高い炭化ケイ素(SiC)製の酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET、写真)を完成、7月に量産する。SiC製ショットキーバリアダイオード&...

【京都】ロームは電力損失をシリコン(Si)製パワー半導体の20分の1以下に抑えた炭化ケイ素(SiC)製のトレンチ金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFE...

シリコン限界、素材開発に拍車 半導体素子をすべてSiCで構成したSiC半導体モジュール㊨。... SiCは、パワー半導体では後発のロームが10年4月にSiCダイオードの量産を開始。....

東芝は2011年度に金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の低耐圧品と高耐圧品で新構造の製品を投入する。... 基板のシリコンに代わり、省エネ性能が高い炭化ケイ素(...

(栗下直也) ロームは2010年4月にSiCダイオードの量産を開始、日系メーカーではSiC市場に先陣を切って参入した。12月にはダイオードに続き、金属酸化膜半導体電界...

ダイオードのSiC化は11年以降始まりそうだが、電力損失の大幅低減にはMOSFETのSiCへの切り替えがカギを握るとされてきた。 ... 同時に、SiCを使ったMOSFETの商品化を...

4月にSiCダイオードの量産を開始、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の生産体制もすでに整えた。... 09年夏にSiC基板大手の独サイクリスタルを買収。... 数年...

アルミニウムを用いたボンディングは従来の半導体だけにとどまらず、ハイブリッド車(HV)用パワーコントロールユニットの中の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジ...

【京都】ロームは4日、電気自動車(EV)などのモーターに内蔵できる炭化ケイ素(SiC)製パワー半導体モジュールを開発したと発表した。... 大きさは放熱板込みでトレンチ...

SiCはすでに、ロームが4月にダイオードの量産を開始。... 独インフィニオンテクノロジーズは01年にSiCダイオードを製品化。... 伊仏STマイクロエレクトロニクスも11年度にはSiCの金属酸化膜...

三菱電はSiCパワー半導体を成長のエンジンに位置づけており、今後、モジュール全体のSiC化を進めると同時に、幅広い製品領域を活用して、SiCを組み込む機器を広げていく。 ... 13...

【POINT】 1パワーデバイスに不可欠な材料 2国内勢もウエハー供給開始 3MOSFET・IGBTへの適用がカギ 電力制御用半導体(パワー半導体)の次...

まず量産するのは、ダイオードにSiCを使う製品。... その後、15年以降に金属酸化膜型電界効果トランジスタ(MOSFET)をSiC化する方針。シリコンとのコスト差について「MOSFE...

従来のSiC半導体による試作インバーターでは電力損失の7割低減を確認していた。... インバーターモジュールを構成する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)はダイオードの...

【京都】ロームと京都大学大学院工学研究科木本恒暢教授は7日、炭化ケイ素(SiC)製トランジスタ「トレンチゲート縦型MOSFET」の大容量化に成功したと発表した。... SiC素製半導体...