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記事検索結果
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超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は名古屋大学と共同で、データセンター(DC)のSSD(ソリッド・ステート・ドライブ)向け新型相変化メモリーを開発...
リードエグジビションジャパン(東京都新宿区)は2015年1月14―16日に東京・有明の東京ビッグサイトで開く「第1回ウェアラブルEXPO 装着型デバイス技術展」の出展企業を募集...
QDレーザ(川崎市川崎区、044・333・3338)の菅原充社長と武政敬三デバイス事業部長、西研一東京大学生産技術研究所特任研究員の3人が、「温度安定量子ドットレーザーの開発と商用化」...
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、スピン(磁気的性質)注入型磁気抵抗メモリー(STT―MRAM)のメモリーのデータを蓄える磁気トンネル接合&#...
デバイス構造としては、半導体シリコンの上に酸化ケイ素の絶縁膜を設置。... 「半導体技術を、(実験室の)ウェットのバイオテクノロジーでの長期測定に使う展開は珍しい」(坂田准教授...
山梨県工業技術センターは24日13時15分から甲府市大津町の同センター高度技術開発棟で「第28回研究成果発表会」を開く。同センターが2013年度に取り組んだ研究内容を「環境技術・機能性材料」「電子・デ...
スマートコミュニティー事業を一層強化、柱のエネルギー、ストレージ、ヘルスケアに加え、家電や材料、デバイス技術を異分野で活用し、新たな製品・サービスを創出する。 ... 最先端の情報技...
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、磁気トンネル接合(MTJ)素子を用いた高密度集積回路(LSI)配線の電流センシングの動作を実証した。... ...
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、筑波大学と共同で、データセンター向け固体ストレージ(SSD)用として従来比10分の1以下の書き込み電力で1億回の書き換えが可...
【サポイン事業採択/カーボン薄膜太陽電池用プロセスの確立とそのプラズマCVD装置の作製】 神港精機は、2009年度、10年度に戦略的基盤技術高度化支援事業の採択を受けて、マ...
【立川】情報通信研究機構(NICT、東京都小金井市)は、8月から光デバイス技術の試作開発施設「フォトニックデバイスラボ」を有償で貸し出す。... NICTの技術者による研修後、最短で約...
富士フイルムとパナソニックは11日、有機薄膜を搭載した相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサー技術を開発したと発表した。... 富士フイルムが開発した有機薄膜と、パナソニック...
超低電圧デバイス技術研究組合と新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は、新しいトランジスタ構造による論理IC(集積回路)を開発し、従来比3分の1という0・37ボ...
富士通、日立製作所、東芝、三菱電機など電機メーカー10社で構成する超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、消費電力が従来比10分の1以下と小さく、高速で動く固体記憶装置(S...
産業技術総合研究所は四川大学、バスク大学と共同で、超微細な試料を壊さずに観察するヘリウムイオン顕微鏡(HIM)で、見える像を予測する計算技術を開発した。... ナノデバイス(ナ...
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、ロジック高密度集積回路(LSI)混載のキャッシュメモリー向けにスピン注入型高性能磁気抵抗メモリー「STT―MRAM」を開発し...
検査用デバイス技術を持つ企業などと応用研究を進め、2016年までの実用化を目指す。 ... 将来的には移植用組織の機能やウイルスによる汚染などを、一度に見られるデバイスとしての用途を...
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)と東京大学は、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)の大幅な省エネルギー化を実現する低電圧トランジスタの動作に成功した。... これ...
富士通、日立製作所、東芝、三菱電機など電機メーカー10社で構成する超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、次世代記憶素子であるスピン注入型不揮発性磁気メモリー(MRAM&#...
【経営執行役電子デバイス事業部長兼富士通ゼネラルエレクトロニクス社長】松井範幸(まつい・のりゆき)氏 【横顔】富士通時代は半導体や光デバイス技術開発を担当。
