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記事検索結果
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表面に傾斜をつけたサファイア基板上にダイヤモンドを生成する技術により、成長過程でダイヤモンド膜に直接かかる応力を低減し、大口径化を実現した。
同分子に鉛イオンを配位させると皿バネ上に歪んだ分子になり、磁石のように特定方向のスピンをもつ。 実際にキラル分子を強磁性体のニッケル上に並べると、スピンの偏極が磁気抵抗効果...
しかしながら現在、情報処理を担う半導体チップ(電気デバイス)に対して、情報通信を得意とする光デバイスはマザーボード上の物理的に離れた位置に実装されており、両者をつなぐ長距離電気配線が、...
そこで研究チームは、界面欠陥が生じず高温下で安定動作するJFETをSiC上で作製。... 研究チームではイオン注入によりトランジスタを作製することで、SiCの同一基板上で相補型回路を作製することに成功...
同社は同基板上にエピタキシャル薄膜を成長させたSiCエピタキシャルウエハーの外販で世界最大手。基板を内製し、品質向上および安定供給体制の強化を狙う。外部からの基板の調達も続ける。
強みの半導体製造装置技術を生かし、2025年度までに自社でウエハー基板上に成膜できる体制を整える。... 従来はSiCエピウエハーを購入した上で、自社の姫路半導体工場(兵庫県太子町)で...
原理上はSiC基板の一面を超電導にできる。... SiC基板の表面に炭素原子が並んだ面にグラフェンを1層形成する。... SiC基板上の素子を超電導配線でつなぎ、素子間の送電ロスをなくすなどの用途を提...
この新材料量子ビットをシリコン基板上に実現することで、量子ビットの寿命であるコヒーレンス時間を、酸化マグネシウム基板上の窒化物超電導量子ビットの場合と比べて大幅に改善した。
また、チップの低ノイズ化も果たし、基板上のノイズ対策部品を減らせてシステム全体を小型にできるという。
GaNデバイスをシリコン(Si)基板上に作製する「GaN―on―Si(ガン・オン・シリコン)」の技術を用いる。 ... ローム浜松では、シリコン基板に...
この半導体CNT技術をベースに、このほどフィルム上に半導体回路を塗布形成する技術を確立した。 ... 基板上に成長させたCNTは、短い繊維形状での利用だけでなく、...
東レは17日、独自の高性能半導体カーボンナノチューブ(CNT)複合体を用いて、フィルム上に半導体回路を塗布形成する技術を確立したと発表した。同社は2年前、ガラス基板...
高分子材料のパリレン基板上に厚さ100ナノメートル(ナノは10億分の1)ほどの金の薄膜電極を作り、金電極と金電極を貼り合わせる。... 今後は配線金属と基板の種類を広げる。
プラズマを使って基板上の薄膜を加工する。IT製品や大型テレビなど向けのディスプレーに使われる第8世代の基板に対応した。... エッチング装置は、装置内の化学反応室「チャンバー」で、ガラス基板上に成膜さ...
基板上に感光体と発光体を成膜し、感光体と発光体との界面で光の変換を起こす仕組み。... フレキシブル基板上で有機半導体の塗布膜で光の変換を成功させたのは世界初という。
