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記事検索結果
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半導体の高性能化と低コスト化を実現するため、次世代露光技術「EUVリソグラフィ」の実用化が求められている。
EUVリソグラフィー技術は半導体の微細化や集積度向上のニーズを背景に、線幅を10ナノメートル以下にする主要技術の一つとして普及が期待されている。
だが70年代後半には、ガラス基板上に感光剤(レジスト)を塗布し、フォトマスクを使って現像やエッチングをする「フォトリソグラフィー方式」に移る。
【横浜】レーザーテックは半導体ウエハー面のパターン線幅の異常やバラつきを検出するリソグラフィープロセス検査装置「LX530=写真」を製品化した。
半導体製造におけるリソグラフィ(露光)プロセスの開発に従事してきた。微細な回路パターンを高い歩留まりで刻むために、膨大なシミュレーションを繰り返して最適な設計・露光条件・原版形状などを...
工業生産に適したフォトリソグラフィー法を使って、従来比100万倍のスピードで作る。... これまでは、実用レベルであるQ値100万以上の光ナノ共振器はすべて、電子線リソグラフィー法で作られていた。&#...
JSRとベルギーの研究機関IMECは22日、光源に極端紫外線(EUV)を用いる露光装置向けリソグラフィー材料を生産する合弁会社を設立したと発表した。
【富山】富山県立大学工学部機械システム工学科の竹井敏准教授、花畑誠客員教授は、基板上にフォトレジストのパターンを形成するリソグラフィプロセス向けに、植物由来の水溶性高分子材料を開発した。... リソグ...
JSRは次世代の半導体製造用化学品、極紫外線(EUV)リソグラフィ用フォトレジストの商業生産を2017年に始める。
JSRは次世代の半導体製造用化学品、極紫外線(EUV)リソグラフィ用フォトレジストの商業生産を2017年に始める。
フォトリソグラフィーで作製した共振器としては世界最高となる光の閉じ込め性能(Q値=2・2×10の5乗)を達成した。
自動車向けのタイヤや合成樹脂といった石油化学系事業は厳しい環境を抜け出せないとみる半面、半導体材料は次世代のリソグラフィー材料の拡販により、もう一段の伸びが期待できるとしている。
【神戸】兵庫県立大学の原田哲男助教らの研究グループは、次世代半導体での量産適用が有望視される極端紫外線(EUV)リソグラフィー(露光)のフォトマスク評価に使う顕微鏡を開...
同社が現在挑むのが次世代半導体の露光技術であるEUVリソグラフィの開発だ。... EUVは13・5ナノメートル(ナノは10億分の1)と従来の10分の1以下の波長であり、EUVによるリソ...
極端紫外線(EUV)で半導体回路パターンをシリコンウエハー上に焼き付けるEUV転写技術(リソグラフィー)の実用化促進に役立つ。 ... 容器内に集光ミ...
従来のフォトリソグラフィー方式に比べ設備投資は半分以下に抑えられるという。... フォトリソグラフィー方式に比べ工程数やランニングコストも低減できる。
