熱電変換デバイスは電子が流れるn型と正孔が流れるp型の材料を組み合わせる。現在はp型材料を開発した段階。同じ組成系でn型材料も開発する。

ホウ素を添加しP型半導体、リンを添加しN型半導体が作製され、トランジスタを実現している。

化合物半導体中のp型領域とn型領域が接する部分(pn接合)だけでなく、極めて微量な不純物濃度差を観察できるという。

これらのPID対策は、現在主流のp型半導体が基材のシリコン系太陽電池では有効だが、より高性能のn型半導体を基材とする太陽電池での有効性は不明。実際、ケミトックスの行った調査では、p型では有効だった封止...

そこで2種類の半導体を積層し、この層を挟むp型層とn型層などを組み合わせた熱放射光源を作った。

産業技術総合研究所は、化合物半導体で作った新型の3次元積層の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)回路を開発した。インジウムガリウムヒ素製のn型半導体とシリコンゲルマニウム製のp型半導体で...

慶応大学時代は電気化学研究室に所属し、テーマは「イオン液体中のn型半導体電極の光電気化学」。

京都大学化学研究所の若宮淳志准教授、佐藤基大学院生、村田靖次郎教授らの研究グループは、太陽電池や有機EL向け機能性有機材料を構成するための溶解性が高い平面型骨格「SaT(サット)」を開...

山形大学有機エレクトロニクス研究センター(山形県米沢市)の時任静士教授の研究グループと宇部興産は18日、有機溶媒に溶ける新しいN型有機半導体材料を開発したと発表した。... 現在主流の...

太陽電池の構造はp型とn型の有機半導体を別々につくる「ヘテロ接合型」が知られているが、複雑なナノメートル(ナノは10億分の1)級で形成するため、製造過程が複雑になりがちだった。 ...

大阪大学産業科学研究所の真嶋哲朗教授、立川貴士助教らの研究グループは、組み合わせることで効率的に電荷分離できるp型、n型半導体の特性を示す金属酸化物ナノ粒子をナノメートル(ナノは10億分の1&...

産業技術総合研究所のナノエレクトロニクス研究部門の臼田宏治特定集中研究専門員らは、3次元(3D)積層技術による高密度集積回路(LSI)向けのp型・n型両極性多結晶ゲルマ...

河合教授らは通常、p型のカーボンナノチューブ(CNT)を効率的に電力変換できるn型に変えるため、リン化合物誘導体を含む18種類の添加薬剤を見いだした。開発したn型熱電変換材料の特性を調...

一般的なp型半導体を基板とする太陽電池ではなく、n型の単結晶シリコンのパネルも特徴。

今回、エピタキシャル成長によってp型基板層を作製する従来のフリップ型の技術を使い、さらにSiC基板のカーボン面を利用した独自の構造を採用した。高品質のn基板上に、高耐圧性能を持たせるために厚いn型層を...

従来の太陽電池のセル構造はp層とn層を別々の材料で作るヘテロ接合型だったが、今回同じ材料を使うホモ接合型で作製し、自社評価で20・7%の効率を確認した。... 東芝は独自開発の液相ドーピング法...

【2つの伝導巧妙に】 私たちはこの組み合わせをうまく工夫して、室温でも大電流を流せるダイオードのほか、電流増幅ができる接合型バイポーラトランジスタや高いオン・オフ比と急峻(き...

トランジスタ構造を微細なフィン型に改良して、実用レベルに迫るスイッチング特性を実現し、ゲルマニウムトランジスタがCMOS回路を積層するデバイスとして適していることを確認した。... 鎌田善己連携研究体...

産業技術総合研究所は住友化学と共同で、LSIの低消費電力化に寄与する、ゲルマニウムとインジウム・ガリウム・ヒ素を使った相補型金属酸化膜半導体(CMOS)インバーターを開発し、動作を実証...

提供するGaNテンプレートはサファイア基板上に厚さ10マイクロメートル(1マイクロは100分の1)のn型GaNバッファー層を成長させた構造で、高結晶性と高い表面品質を持つ。従来、白色L...