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記事検索結果
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【京都】ロームは一般的なシリコン製より省電力性や高速動作性に優れる窒化ガリウム(GaN)製パワー半導体の品ぞろえを拡充した。
県は10年以上前から、年間11億円を投じて産学官が連携する共同研究「知の拠点あいち重点研究プロジェクト」で窒化ガリウム(GaN)を使うパワー半導体やロボットの無線充電技術の研究開発を支...
さらに高機能センサーの「LiDAR(ライダー)」では、インジウム・ガリウム・ヒ素(InGaAs)、窒化ガリウムなど非シリコンベースの半導体需要が加速。
酸化ガリウム半導体を用いたパワーデバイスは、高性能かつ他素材からのコスト低減が期待される。... フロスフィアはよりバンドギャップの大きい酸化イリジウムガリウムをp型半導体に用いることを検討。JSRと...
またSiC以外に窒化ガリウムや酸化ガリウム、ダイヤモンドなどの半導体材料にも応用できるとする。
英調査会社オムディアの南川明シニアコンサルティングディレクターは、「SiCや窒化ガリウム(GaN)といった、今後に需要が増える化合物半導体の量産ではSTマイクロやインフィニオンが圧倒的...
【京都】ロームは窒化ガリウム(GaN)パワー半導体の高速スイッチング性能に対応する超高速駆動制御ICを開発した。
量子ドットと希薄窒化ガリウムヒ素を組み合わせた光学活性層を用いてスピンLEDを作製した。 ... 高電圧では電子スピンの偏極が弱まる課題があったが、希薄窒化ガリウムヒ素で偏極率を増幅...
シリコンウエハー上にガリウムの液滴を作り、液滴にガスのヒ素が取り込まれるとガリウムヒ素の針状結晶が伸びる。 ガリウムが結晶の核や結晶成長を促す触媒として働く。... ガリウ...
中沢卓越教授はエルビウムを添加したファイバーと、InGaAsP(インジウム・ガリウム・ヒ素・リン)半導体レーザーを組み合わせる手法を提案。
CO2吸収用の新規アミン化合物や窒化ガリウム(GaN)成膜用ターゲット材などの新製品が、うまく時流に乗って伸びるかが注目される。
三菱電機はLow―Ku(13ギガヘルツ、ギガは10億)帯の周波数で動作する衛星通信地球局向け窒化ガリウム製高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT...
各社は現在主流のシリコン(Si)製よりも省電力や高速動作の性能に優れる炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)製のパワー半導体の量産や製品開発にも力...
金電極表面にルテニウムとテトラホスフィンの有機金属錯体で膜を作り、ガリウムインジウム共晶の液体電極で封止し温度勾配をかけて起電力を計測した。
ガリウムヒ素(GaAs)基板上に化合物半導体層を形成し、YAG(イットリウムアルミニウムガーネット)結晶を積層する。
ナトリウム・ガリウム・スズの金属間化合物で性能指数が1を超えるなど、実用材に匹敵する性能を確認した。... ガリウムをアルミニウムやインジウムと交換してナトリウムの間隔を調整すると、ナトリウム同士の距...
08年に結晶の材料として、それまでのガリウムヒ素(GaAs)系に加えて窒化ガリウム(GaN)系を採用した。
京都大学の野田進教授と北陽電機(大阪市西区)、Doog(ドーグ、茨城県つくば市)らは、ガリウムヒ素(GaAs)系フォトニック結晶レー...
窒化ホウ素の放熱シートやパワー半導体用窒化ガリウム基板に注力する」 ―リチウムイオン電池用電解液でライセンス供与や委託製造も活用する理由は。
