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江川孝志同大教授が開発した窒化物半導体の結晶成長技術をコアに、産学一体で次世代自動車やスマートグリッド(次世代電力網)への実用化を加速させる。 ... 江川教授はサフ...

結晶成長・ドーピングから始まった研究開発は、今や室温で接合型トランジスタが動作するまでに進展。

その結晶成長方法は高温ガスを使う有機金属気相成長(MOCVD)法が主流となっている。 ... ただ、MOCVD法と比べ、結晶成長速度が5分の1程度と遅いのが課題だった...

ウィスカーとは針のような細長い結晶成長。... 開発した処理装置はメッキしたコネクター部品をコイルの中に通し、高周波誘導加熱でスズメッキを再結晶させる。

パナソニックは有機金属気相成長(MOCVD)技術により、直径6インチのシリコン基板上にGaNを結晶成長させ、独自構造のノーマリオフ型のGaNトランジスタを完成。... 今後、GaNパワ...

結晶成長方法でも製造コストを10分の1以下にする量産技術を確立し製品単価を低減した。

SiC下地基板は、シリコン(Si)基板上に3マイクロメートル(マイクロは100万分の1)程度の立方晶(3C)系SiC層をエピタキシャル成長法という結晶成...

ナノサイズ(ナノは10億分の1)の結晶化したメモリーセル材料の高電気抵抗化と低熱伝導化により実現した。... 相変化デバイスは原子の状態の違いを利用する素子で、結晶と非結晶の抵抗変化で...

結晶成長の材料構成や厚みを改良し、発振波長460ナノメートル(ナノは10億分の1)帯域で電気を光に変える変換効率で33%を達成した。

LED用としては口径が大きい直径200ミリメートルシリコンウエハー上に窒化ガリウムを結晶成長させたLED素子を採用。

今回、東北大の顕微分光技術とNTTの高純度結晶成長技術を組み合わせることで、世界で初めてその観察に成功した。

産総研の基板張り合わせ技術やデバイス作製技術に、住化の化合物結晶成長技術を組み合わせて作製したもの。... この層を基板上に結晶成長させ、ポリイミドを使ってシリコン上に貼り付ける。

結晶成長で作る量子ドットは、きれいにかつ密に作ることができればより良い特性が得られるとされる。... 今のところ、自然と規則正しいナノ構造が形成できる自己成長法が主流。中でも、物質・材料研究機構の研究...

合併によりSUMCOの結晶成長技術を融合し、ルツボの開発強化や技術の高度化につなげる。

半導体材料は新たな結晶成長技術を開発し、インジウムやガリウムなどのレアメタル(希少金属)フリーを目指す。... 現在は名古屋工大が透過性能を高められるセラミックス成分や結晶構造をコンピ...

高濃度のリン不純物を添加したn型ダイヤモンド半導体を、特定の位置を選んで結晶成長させることなどで実現した。... 研究では従来のマイクロ波を使って薄膜を形成する技術と、高濃度のリン不純物を添加したn型...

世界で初めてバイオ技術とナノ技術を使うことで、自己組織的な結晶成長により作られた従来の量子ドットに比べ10倍以上のレーザーの高密度化を実現した。

具体的には微細加工処理したSiC基板表面への結晶成長により、グラフェン層数分布のバラつきのないグラフェン膜をつくり、実現したという。

LED素子は基板上に窒化ガリウムの結晶を成長させて製造する。豊田合成と日亜化学は、欠陥ができにくい結晶成長技術を確立、電気から光への変換効率が高い素子を開発した。... 結晶成長技術の応用で貢献した研...

シリコン基板上に窒化ガリウムを結晶成長させる量産方法を世界で初めて確立した。

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