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炭化ケイ素(SiC)インゴットからウエハーを切り出す「KABRA(カブラ)」の技術や装置もIBで開発された。
三菱電機が炭化ケイ素(SiC)のパワー半導体の開発・生産に力を入れている。... このほど米国企業と8インチのSiC基板を共同開発することを表明した。... コヒレントはSiC材料を長...
具体的にはモーター制御で従来の抵抗制御方式と比べ消費電力を75%削減できる炭化ケイ素(SiC)系のパワー半導体を使用したVVVFインバーターの採用強化だ。
(敬称略) 【論文賞】▽「Sicの精密レーザスライシング第2報:走査方向とへき開進展・連結の関係性」山田洋平(埼玉大学大学院)、池田...
炭化ケイ素(SiC)の塊(インゴット)からウエハーを切り出す「KABRA(カブラ)」という工程を備えた2017年発売の装置だ。... 従来は複数のワイヤ...
省エネ性能が高い炭化ケイ素(SiC)を使った次世代パワー半導体基板(ウエハー)の加工が容易なグラインダー、切断後のチップの厚みや裏面の状態を全自動で検査する装置―。.....
ルネサスエレクトロニクスは、2025年に高崎工場(群馬県高崎市)で炭化ケイ素(SiC)を使うパワー半導体の生産ラインを立ち上げ、量産を始める。電気自...
また、炭化ケイ素(SiC)デバイスと走行風冷却システムを組み合わせた駆動システムを採用することにより、機器の小型化と消費電力の削減が期待できる。
SiCウエハー製造では、昇華法が主流となっている。昇華法とは、不活性ガスを充填させた炉内でSiC原料を高温で昇華させ、上部のSiC種結晶に成長させる方法である。... SiCウエハーの製造工程で、結晶...
設備投資は過去最高の1600億円を計画し、その5割強を炭化ケイ素(SiC)の増産に充てる。電動車の世界的普及で需要が急拡大しているSiCパワー半導体では、28年3月期に23年3月期の約...
三菱電機は8日、ショットキーバリアーダイオード(SBD)内蔵の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用した耐電圧3・3キロボルトの...
27日、本社(東京都港区)でSiCエピウエハー事業説明会を開いた。SiC基板上にエピ層を成長させたSiCエピウエハーは、製造時に高温環境が必要なことなどが課題。... レゾナックはSi...
【アリューズ/SiC・サファイア加工容易に】 アリューズ(東京都東久留米市)は、炭化ケイ素(SiC)やサファイア加工をよ...
【デンソー】SiCパワー半導体インバーター 電費向上・航続距離を延長 デンソーは炭化ケイ素(SiC)パワー半導体を搭載したインバ...
SiC材・燃料サイクル検証 核融合スタートアップの京都フュージョニアリング(KF、東京都千代田区、長尾昂最高経営責任者〈CEO〉)が核融合炉向けの部品開発を加速してい...
法政大学は多摩キャンパス(東京都町田市)に「法政大学ソーシャル・イノベーションセンター」(SIC)を開設した。... SICでは大学の教育活動との関係を強めることで、地...
学校法人関西学院と豊田通商は22日、パワー半導体材料の炭化ケイ素(SiC)ウエハーの向上を目指す技術を展開する共同出資会社を設立したと発表した。... 電気自動車&...
