日本IBMは3日、入出力性能をハードディスク駆動装置(HDD)の8倍に高め、記憶容量が従来比約1・5倍の50ギガバイトのNAND型フラッシュメモリーを実装した外部記憶装置「50ギガバイ...

富士通研究所(川崎市中原区、村野和雄社長、044・754・2613)は、次世代記憶素子の不揮発性磁気メモリー(MRAM)の寿命を向上する技術を開発した。... 結晶構造...

記憶素子に磁性体を用いるMRAMは、半導体メーカー各社が次世代メモリーの一つとして有力視している。

東芝は携帯機器の記憶素子に用いるNAND型フラッシュメモリーに回路線幅32ナノメートルの次世代プロセスを採用する。

パソコンのメーンメモリーに用いるDRAMや携帯機器の記憶素子に使うNAND型フラッシュメモリーはいずれも供給過剰から市況が悪化。... サーバやパソコンに補助記憶装置として採用されているハードディスク...

演算素子(ロジック)メーカーは直径300ミリメートルウエハーラインへの投資が一巡したため、投資額が減少傾向にある。一方、記憶素子(メモリー)メーカーは毎年、巨額投資を実...

日本を含むアジアの顧客は記憶素子(メモリー)メーカーが多い。

SiPは、演算素子(ロジック)や記憶素子(メモリー)など機能が異なる複数のチップをワンチップ化する技術。

走行パターンを増やすと記憶素子が増えるが、自動生成を使えば素子の増加を抑えつつ最適な制御パターンをきめ細かく設定できる。

【相対相場も低迷】 記憶素子(メモリー)ICの当用(スポット)価格が低迷を続けている。... 携帯機器の記憶素子に採用されるNAND型フラッシュメモリーの今年度...

東芝は18日、パソコンの補助記憶装置向けに、容量512ギガバイト(ギガは10億)のソリッド・ステート・ドライブ(SSD)を09年1―3月期にサンプル出荷すると発表した。...

東芝は携帯機器の記憶素子などに用いるNAND型フラッシュメモリーの、2011年までの年平均成長率(CAGA)を下方修正した。... SSDは、NANDフラッシュを数個組み合わせた補助記...

その結果、「パソコンのメーンメモリーに用いるDRAM、携帯機器の記憶素子に用いるNAND型フラッシュメモリーともに価格は当面回復しない」との認識を持つことがわかった。

DRAMは読み書きが自由にできる記憶素子の一つで、最近では携帯電話や薄型テレビなどのデジタル家電にも組み込まれる。

DRAMやNAND型フラッシュメモリーなど記憶素子(メモリー)の価格下落を受けて、メモリーメーカーの設備投資が止まった。... 一方で、演算素子(ロジック)IC向けでは...

一つの記憶素子(メモリセル)に2値(1ビット)データを記憶するタイプ。同じ2値技術を用いた同56ナノメートルプロセス品と比べると、1チップ当たりの記憶容量が2倍になり、...

露光装置はDRAMなどの記憶素子(メモリー)ICメーカーが設備投資を抑制している影響を受け、受注が減少傾向にある。... ノートパソコンの記憶媒体として使われる。

SiP技術を用いることにより、家庭用ゲーム機に搭載する半導体チップに、画像処理LSIや記憶素子(メモリー)など複数の機能を集積し、一段と高機能化していく。

DRAMなど記憶素子(メモリー)のスポット価格は1年以上にわたり低迷、こうした状況から台湾や韓国のメモリーメーカーが設備投資を抑制している。

DRAMなどの記憶素子(メモリー)メーカーが供給過多による価格低下から設備投資を抑制していることが大きく影響している。