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記事検索結果
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この技術をベースに、焙煎装置で300度C近い熱をかけて半炭化することで、石炭と同等水準の1キログラム当たり5400キロカロリーの熱量を生むBBP製造システムを確立。
ネクスファイ・テクノロジーは、高電圧・大電流の領域でシリコンに代わる次世代パワー半導体として注目される炭化ケイ素(SiC)半導体を活用し、新たな産業技術の創出や既存装置の大幅な性能の向...
ルネサスエレクトロニクスは5日、米半導体大手のウルフスピードと10年間の炭化ケイ素(SiC)ウエハー(基板)の供給契約を締結したと発表した。
(木曜日に掲載) 量子科学技術研究開発機構(QST) 高崎量子応用研究所 ...
EV半導体向け需要増 【名古屋】ノリタケカンパニーリミテドは、次世代パワー半導体とされる炭化ケイ素(SiC)の半導体基板やデバイスを研磨する工具「...
環境関連情報などを提供する非政府組織(NGO)、CDPはリポートで、炭化水素事業からの脱却を進め、2015年の温暖化対策の国際的枠組み「パリ協定」の目標達成を目指した石油・天然ガス大手...
より低損失な炭化ケイ素(SiC)やGaNを活用した次世代半導体の開発・普及が期待されている。
炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などのパワー半導体のほか、パッケージやモジュールの開発などに取り組む。
【京都】ロームは19日、独ヴィテスコ・テクノロジーズに対して炭化ケイ素(SiC)パワー半導体を長期供給するパートナーシップ契約を締結した(写真)。
その中でも電力の制御や変換を担い高効率な「炭化ケイ素(SiC)パワー半導体」は、京都先端科学大学の松波弘之特任教授(京都大学名誉教授)によって生み出された。
次世代パワー半導体とされる炭化ケイ素(SiC)半導体は、従来の半導体よりも高温になる性質があるため、電動車向けを中心に商機を狙う構えだ。
三菱電機は13日、パッケージ内部でのインダクタンス(磁束変化に対する抵抗)を従来比で約47%低減した「産業用フル炭化ケイ素(SiC)パワー半...
愛三工業によるアンモニアを使った燃料電池の発電システムのほか、ジェイテクトグラインディングツール(愛知県岡崎市)による炭化ケイ素(SiC)ウエハーの切削加工、テラ・ラボ...
また第1弾ではパワーデバイスに炭化ケイ素(SiC)を搭載するが、第2弾ではDC―DCコンバーターやOBCのパワーデバイスを高周波動作が得意な窒化ガリウム(GaN)に置き...
北越コーポレーションは有機フッ素化合物(PFAS)の代替として、炭化水素系ポリマーを使用したクリーンルーム用エアフィルター濾材(ろざい)を開発した。...
富士電機は30日、炭化ケイ素(SiC)を使う次世代パワー半導体の生産能力を2026年度に22年度比で50倍に引き上げると明らかにした。
