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記事検索結果
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分子線エピタキシャル成長(MBE)という結晶成長法を使って、ホウ素を高濃度にドープしたバリウムシリサイドのp+層を製膜した。... バリウムシリサイド太陽電池は、資源量が豊富に...
猿倉教授らは5年前、高温高圧の水で原料を溶かして結晶成長させる「水熱合成法」を使って作った酸化亜鉛が、EUVリソグラフィー向けのシンチレーターとして利用できることを発見。... 当時、酸化亜鉛結晶の大...
一方で、最先端のガリウムヒ素ウエハーと半導体技術を使い、結晶成長からウエハーに作り込む試作開発を担う。
パナソニックはシステムLSIにかわる成長事業の一つにパワー半導体を位置づけ、GaN製では業界最速での量産を目指す。 ... 直径6インチのシリコン基板上にGaNを結晶成長させるため、...
NTTは11日、発光ダイオード(LED)などに使われている窒化ガリウム系半導体の薄膜素子を、結晶成長用の基板から剥がして簡単に作製するプロセスを世界で初めて開発したと発表した。... ...
実験で用いた、たんぱく質リゾチームの結晶はアガロースゲルを含む溶液中で結晶成長させた。... アガロース濃度0・4―1・8%(重量/体積)が高い溶液で成長させた結晶ほ...
原料に結晶成長を促す添加剤を混ぜて容器に詰め、高圧で圧縮した後に1000度Cの高温で保持して超電導ナノワイヤを作った。固体同士の反応のため、結晶の組成や構造を制御しやすい。
インゴットからは直径数インチの円柱状の結晶が切り出され、薄くウエハーにスライスしてLED素子の基板に使われる。... 11年6月には兵庫県新規成長事業、神戸市特定事業計画のそれぞれ認可を得て、資本金は...
SiCウエハーは、粉末状のSiC原料を2500度Cという環境で種結晶上に再結晶化させる昇華再結晶法が現在の主流。ただ超高温での化合物結晶成長は、制御が難しく、ウエハーの口径を大きくしようとすると、結晶...
新日本製鉄は6日、高性能パワー半導体の量産・普及のカギとなる6インチ径の炭化ケイ素(SiC)単結晶ウエハー(写真右)を開発したと発表した。... 2500度Cの高温環境...
ゲルマニウムの単結晶層をシリコンやガラス、プラスチック上などのさまざまな基板に転写できる技術で、従来のシリコン素子とゲルマニウム素子とを集積化できるようになる。... 産総研が持つ基板の貼り合わせ技術...
だが、結晶成長を制御するのが難しく、成長速度も遅いという課題があった。 チームは結晶化を誘導する新しい種晶添加技術(シーディング)を開発し、MOF結晶成長を制御できた。さらに磁...
同グループはシリコン基板上にガス化したアンモニアやトリメチルガリウムを用いて、窒化ガリウム半導体を結晶成長させる技術を基盤とする。今回、アンモニアとトリメチルアルミニウムを用いた窒化アルミと窒化ガリウ...
【市村産業賞功績賞】 ▽大型高均一GaN基板の量産技術開発(日立電線)▽造影剤を用いずに血管を良好に描出できるMRI装置(東芝メディカルシステムズ)&...
