半導体先端テクノロジーズ(セリート、茨城県つくば市、渡辺久恒社長、029・849・1300)は、金属のゲート素材と高誘電率膜を用いた相補型金属酸化膜半導体(CMOS)電...

また、発光ダイオード(LED)はn型とp型の薄膜が必要なのだが、p型酸化亜鉛をつくるのは非常に難しく、ほかではほとんど実用化できていない。

原料の導電性高分子を電極に塗布してフィルムにし、フッ素のイオン液体に浸けて電解するだけで、n型半導体や蛍光の特性を引き出せるフッ素化が、転換率95%以上で進んだ。有機溶媒を使わない環境調和型の...

太陽電池などを作るには、プラスの電荷を持つP型半導体とマイナスの電荷を持つN型半導体を作って両方を接合し、光や温度差を電気に変える必要がある。スパッタリングガンを2台追加して不純物を添加し、P型、N型...

【川越】スープラディスプレイ(埼玉県和光市、和田順子社長、048・450・0880)は、プラスチック基板などの平面上に特殊な化合物を塗布、近赤外線レーザーで回路を描くことでp型半導体と...

産業界で広く使われている有機金属気相エピタキシャル法により、p型の窒化ガリウムとn型の窒化ガリウムの層の間に、ユーロピウムの層を挟んだデバイスを作製。

開発したトランジスタは、窒化アルミニウム層をn型窒化ガリウム層ではさんだ独自の三層キャップ層構造をベースに改良。

シリコン基板上に金属電極を持つ薄膜チャネルIII―Vn型トランジスタを作製し、動作実証に成功した。シリコン製のn型トランジスタに比べ、電子移動度は1・35倍という。

半導体先端テクノロジーズ(セリート、茨城県つくば市、渡辺久恒社長、029・849・1300)は回路線幅65ナノメートル(ナノは10億分の1)以降のN型トランジスタのしき...

開発した増幅器は富士通が保有する特許である「n型窒化ガリウム技術」を使って、トランジスタのゲート長を0・25マイクロメートルに微細化し、ゲートとドレイン間の距離を最適化したトランジスタを開発して実現し...

新素子はビスマス・テルルのp型およびn型半導体を使用。

米フロリダ大学などはグラフェンの分子を使い、電子回路の重要な材料のN型半導体を初めて作ったと、米科学誌サイエンスの5月8日号で発表した。これにより、グラフェンの電子回路に必要な、N型とP型がそろった。

n型金属酸化膜半導体(MOS)トランジスタの絶縁膜に、新たに希土類元素のイットリウムを導入する。... セリートは次世代の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)に、金属電極...

高耐圧、低オン抵抗を両立する手法として、N型半導体とP型半導体を多数積層する技術がシリコンデバイスで実用化されている。

現在、シリコン基板の表面にはn型金属酸化膜半導体(MOS)トランジスタの性能(移動度)を高められる結晶面(001)を使うのが主流。

n型シリコン基板にさらに高濃度n層を作るためリンを含んだ溶液をスピンコートし、その後100度Cで加熱し固めてからレーザーを照射した。

新構造の窒化ガリウムHEMTは、ゲート電極に触れる約2ナノメートル(ナノは10億分の1)のn型窒化ガリウム膜上に新たに窒化アルミニウムの層を設け、流れる電子量を増やして出力の向上につな...

開発技術は、LSI内の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)を構成するn型、p型のトランジスタとメモリー用トランジスタのゲート電極に共通の新金属材料を使う。

東芝と米IBMは共同で、次世代LSIに適用を目指す、補型金属酸化膜半導体(CMOS)トランジスタの新しい基板を開発した。... 同材料を使ってこれまで開発を進めてきた基板に比べ、今回改...

今回、ゲート長方向のほか、トランジスタを構成するn型FinFETにFin幅方向と高さ方向から、それぞれ伸長応力と圧縮応力を加えた。一方、p型にはFin幅方向から伸長応力を加えた。 その結果、消...