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記事検索結果
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半導体メモリー工場など広く導入されている工程だが、電子銃は電界放出(FE)と呼ばれる方式が主流。
今後はイメージセンサーや電池管理用IC、電池保護回路用の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)などに注力し、20年3月期の黒字転換を目指す。
【京都】ロームは、高速スイッチング時のノイズ抑制と効率性を向上させた金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。
【ビジネスワイヤ】半導体メーカーの米トランスフォームは、同社の第3世代JEDEC準拠高電圧GaN(窒化ガリウム)電界効果トランジスタ(FET)プラットフォーム「TP65...
【電界放出型】 産業技術総合研究所(産総研)では、半導体の微細加工で作る新しいタイプの電子源を開発している。シリコンや金属で10ナノメートル以下の先鋭な先端をもつ1マ...
SiCは優れた物性の半導体である反面、金属−絶縁膜−半導体(MOS)構造のトランジスタに用いる場合は、絶縁膜を高電界から保護する必要があり、またMOSチャネル移動度をいかにして向上させ...
米トランスフォームは同社の高電圧窒化ガリウム(GaN)パワー電界効果トランジスタ(FET)がTDKラムダに採用されたと発表した。
▽ライジングプロモーション(前橋市)=ファミリーで楽しめる宿泊プランの開発・提供▽桑野屋(渋川市)=新たな顧客獲得のための座敷スポーツバーの事業化▽アル...
米トランスフォームは同社の高電圧GaN(窒化ガリウム)FET(電界効果トランジスタ)が、電源製品の台湾企業デルタ電子に採用されたと発表した。
東芝デバイス&ストレージは650V耐圧スーパージャンクション構造のパワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)として、「DTMOS VI(ディーテ...
そこでJAXAでは、BDRの小型軽量化のためにスイッチング周波数の高周波化を検討しており、窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN-FET)を適用したメガヘルツスイッチング電源...
電界放出型電子プローブ微小分析(FE―EPMA)装置と、電界放出型走査電子顕微鏡(FE―SEM)で、自動車や航空宇宙関連の開発での分析需要増に対応する。
そこで出力部分で炭化ケイ素(SiC)の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用した。
