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記事検索結果
200件中、9ページ目 161〜180件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.016秒)
シリコン基板上に高誘電体材料であるハフニウム酸化物の結晶膜を合成した絶縁膜で、低消費電力のLSIを作れるようになる。 ... 結晶成長を精密にコントロールする熱処理プロセスを取り入れ...
一般に非極性・半極性のGaN基板は、極性面のGaN結晶を縦または斜めに切り出して製造しており、小さな長方形状基板しか作れなかった。住友電工はハイドライド気相成長(HVPE)という製造技...
ナノ粒子の内部で金が成長すると部分的に亀裂が生じ、ナノ粒子がナノ寸法の鋳型となって、板状の金の表面に規則的な凹凸構造を形成したと考えられる。単結晶を作ることができ、従来法では難しかった結晶状態の制御が...
米ジョージア工科大学のチームは、熱水分解による化学反応を使い、従来の650度Cより大幅に低い230度Cという温度で、圧電素子であるチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)ナノワイヤを垂直方向に密...
硫化カドミニウムの結晶成長が進む際に、たんぱく質が持つ分子の右巻きの立体構造を硫化カドミニウム単結晶のナノ粒子に転写し、青色の円偏光発光性を示す量子ドットを作製した。
サファイアの代わりにシリコン基板を使って窒化ガリウムを結晶成長させる技術を応用した。光を使って結晶表面を清浄化することで量子効率も高めた。
この問題を解決したのが、核から結晶成長させて粒子サイズを制御する技術。... 実現には「結晶性のよいものをつくる温度や圧力条件の調整が難しかった」(向井克治常務執行役員)と言う。...
結晶の成長方向を制御する技術を開発。... LED材料に使われるGaN結晶はサファイア基板上で成長する。... これにより、水平方向への結晶成長がステップで遮られるため、内面の成長方向を一定にすること...
DOWAエレクトロニクスが持つサファイア基板上にに薄膜を製造するAIN膜技術と、米国パロアルト・リサーチ・センターと理化学研究所から導入した紫外LEDエピタキシャル(結晶成長)技術を組...
加工メーカーがウエハー切断・研削し、装置メーカーなどがウエハー上に純粋SiC層をエピタキシャル結晶成長により積んでいく。
三菱化学は14日、NTTアドバンステクノロジ(NTT―AT、東京都新宿区、鈴木滋彦社長、03・5325・0711)から窒化ガリウム(GaN)系エピタキシャル(結...
これまでの気相―液相―固相(VLS)結晶成長法ではアレイの変換効率が0・1%と低かった。... 結晶欠陥や不純物を除き、変換効率を上げることができるという。
同社が開発したインバーターICは、シリコン上にGaN層を成長させた基板で製造。... GaN層の中に複数の窒化アルミニウム層を挟み込むことで分子構造の違いによる歪(ひず)みを緩和し、最...
研究グループでは強誘電体のビスマス鉄系酸化物(BiFeO3)薄膜の結晶成長を制御し、強力な圧電反応を得ることに成功した。
SiC素製半導体の容量を上げる上でチップ面積の拡大が課題となっていたが、結晶成長プロセスの工程改善により、ウエハー上の結晶欠陥の影響を大幅に低減した。
