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記事検索結果
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同社では保護回路の中でも小型化のキーパーツで、充放電保護回路のスイッチ用途として使われるMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)の小型薄型化をこれまでも進めてきた。... ...
アルミニウムを用いたボンディングは従来の半導体だけにとどまらず、ハイブリッド車(HV)用パワーコントロールユニットの中の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジ...
トレンチ金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)モジュール(写真左)4個と、ショットキーバリアダイオード(SBD)モジュール(同右&...
三洋電機は26日、リチウムイオン二次電池の充放電時の発熱、劣化を抑える保護回路用金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET、写真)を開発したと発表した。
伊仏STマイクロエレクトロニクスも11年度にはSiCの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の量産を視野に入れる。
ただ、パワー半導体の中でも大電力制御に利用する絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)は6割超、小電力の変換に利用するMOSFETでも3割を超える。
アクセス抵抗を最小化し、同じ大きさのデバイス比較で、現在最高性能の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の2倍のスピードを持つグラフェントランジスタを実現した。
13―14年度にはSiC―MOSFETの量産に乗り出す模様で、フルSiC型のインバータモジュールに道筋をつける。 ... 独インフィニオン・テクノロジーズなど海外勢はダイオードをすでに量産して...
ルネサスエレクトロニクスは実装面積を従来品に比べ半分にした電力制御用パワー金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET、写真)2品種のサンプル出荷を8月に始める。
ルネサスエレクトロニクスは自動車電子制御ユニット向けパワー金属酸化膜半導体電解効果トランジスタ(MOSFET)7品種のサンプル出荷を始めた。
三菱電機は業務無線機の電力増幅器に利用する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET、写真)を7月1日にサンプル出荷する。
【POINT】 1パワーデバイスに不可欠な材料 2国内勢もウエハー供給開始 3MOSFET・IGBTへの適用がカギ 電力制御用半導体(パワー半導体)の次...
BCDプロセスはアナログ回路の制御を担うバイポーラと、デジタル信号の制御回路に適した相補型金属酸化膜半導体(CMOS)、パワーMOSFETを制御するDMOSを1チップ上に形成する製造プ...
その後、15年以降に金属酸化膜型電界効果トランジスタ(MOSFET)をSiC化する方針。シリコンとのコスト差について「MOSFETで1・2倍程度になるのが15年以降」(同...
従来はIGBTを構成するバイポーラトランジスタと、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を組み合わせてシミュレーションしていた。... 半導体理工学研究センター(...
【京都】ロームは0・9ボルトの低電圧で駆動する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。... MOSFETは回路設計がシンプルというメリットを持つが、従来1・2...
ルネサステクノロジは7日、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)2種類とドライバーIC(集積回路)を一体化したノートパソコン用の半導体パッケージ製品を量産...
インバーターモジュールを構成する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)はダイオードの配置を見直し、性能を引き出した。
