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研究チームは、同粒子が磁性絶縁体上にある点欠陥に束縛される性質があることを利用し、出現メカニズムを表した模型を理論的に考察することにした。 これまでの報告をもとに磁性絶縁体として塩化...

東北大、深紫外線LEDの初期劣化の仕組み解明 (2023/5/25 科学技術・大学2)

これはLEDの物理的な劣化ではなく、電子ブロック層中の欠陥をふさいでいた水素が分離するためであることを示した。... 窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)を発光層とする深紫外線LED...

73年には結晶中の点欠陥を原子レベルの分解能で撮影した。結晶欠陥構造の解析法は半導体産業で欠かせない手法となった。

ダイヤモンドの薄膜成長時に、ダイヤモンドの結晶格子中にある点欠陥(SiV―センター)を微量の濃度(素原子1000億―1兆個に1個)に制御しながら導入し、単一光子源として...

京都大学大学院工学研究科の木本恒暢教授らは、炭素原子の抜け穴などの点欠陥をほぼ無くした炭化シリコン(SiC)半導体結晶を作製した。... 一方、新たな点欠陥が0・1ppbの高い密度で発...

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