【電子版】サムスン、半導体増産ペースの見直し検討 DRAMビット成長率20％未満予想で

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  ソウル・瑞草区のサムスン電子ビル（17年2月、ソウル＝ブルームバーグ）

　サムスン電子は予想される来年のメモリーチップ需要の伸び鈍化に対応するため、増産ペースの減速を計画していることが、関係者の話で明らかになった。

　　同計画について説明を受けた関係者によると、生産抑制が半導体価格の維持、あるいは押し上げにつながるとみている。この関係者は匿名を条件に述べた。

　サムスンはDRAM（記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー）のビット成長率（記録容量ベースの成長率）を20％未満と予想し、NANDフラッシュは30％と見込んでいるという。同社は今年に入り、2018年の成長率をそれぞれ20％、40％と予想していた。ビット成長率は市場の需要を測る重要なバロメーター。

　サムスンはテキストメッセージで、「市場の需給状況に合わせて生産能力を柔軟に管理している」と説明した。（ブルームバーグ）