記事検索結果

ローム、オン抵抗20%低減スーパージャンクションMOSFET （2022/3/18 電機・電子部品・情報・通信）

600ボルト耐圧スーパージャンクション構造の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「プレストモス」に、業界最速の逆回復時間(trr)とオン抵抗の低減を両立...

東芝デバイス&ストレージ、耐圧650VのパワーMOSFET （2018/8/22 電機・電子部品・情報・通信１）

東芝デバイス&ストレージは650V耐圧スーパージャンクション構造のパワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)として、「DTMOS VI(ディーテ...

富士電機、省エネ性能向上したパワー半導体2種（2016/3/30 電機・電子部品・情報・通信１）

両シリーズともにスーパージャンクション構造で、定格電圧は600ボルト。

半導体素子の通電経路の設計を工夫して電力抵抗を低減する「スーパージャンクション構造」など得意とする技術を生かして製品開発を推進。

パウデック、GaNパワートランジスタの実用化にめど（2013/10/9）

パウデック(栃木県小山市、河合弘治社長、0285・22・9986)は、低損失・高耐圧を実現する構造を採用した窒化ガリウム(GaN)パワートランジスタの実用化にめどをつけ...

ローム、電力損失抑えたMOSFETをサンプル出荷（2011/9/15）

微小電気機械システム(MEMS)技術を応用し、縦型のpn接合を複数並べるスーパージャンクション構造のp層を微細化した。