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技術で未来拓く 産総研の挑戦(255)現場で陽電子寿命測定 （2023/4/6 科学技術・大学２）
ポータブルシステム提案、インフラ診断の新技術 陽電子の寿命測定法は原子空孔や分子間空隙を検出できることから、材料の研究で金属の欠陥や半導体の電気特性、高分子の劣化やバリア特性などの評...
材料進化の最前線 NIMS最新成果(97)CL法、GaN欠陥評価 （2021/8/18 科学技術・大学）
【発光を可視化】 CL法では電子顕微鏡を使い、半導体から得られる発光をサブミクロン(1万分の1ミリメートル)の分解能で可視化して欠陥を評価する。... 欠陥は、それ自...
産総研のR&D(47)乾電池駆動高エネルギーX線源の開発と非破壊検査への応用 （2010/12/6）
(月曜日に掲載) 産業技術総合研究所 計測フロンティア研究部門極微欠陥評価研究グループ長 鈴木良一氏 電子加速器技術を利用した高エネ...
産総研、欠陥分布を3次元で可視化する手法を開発 （2008/8/29）
原子サイズ程度の微小な欠陥を世界最速の1画素あたり約2秒でイメージングする。... 極微欠陥評価グループの鈴木良一グループ長、大島永康研究員らが開発した。... そのため寿命を測れば物質中の欠陥やすき...
