同大ナノデバイス研究所の黒木伸一郎教授は炭化ケイ素(SiC)を使った半導体を長年研究する。... シリコンと異なり、SiCは高温下でデバイスを作製する必要があり、特殊な環境が必要。.....

次世代品として量産化が進む、炭化ケイ素(SiC)デバイスなどへの採用を見込む。... SiCは従来のシリコン(Si)と比べ動作温度が高くなる。

また、炭化ケイ素(SiC)デバイスと走行風冷却システムを組み合わせた駆動システムを採用することにより、機器の小型化と消費電力の削減が期待できる。

学校法人関西学院と豊田通商は22日、パワー半導体材料の炭化ケイ素(SiC)ウエハーの向上を目指す技術を展開する共同出資会社を設立したと発表した。... 電気自動車&...

エネルギー損失が抑えられ、電気自動車(EV)や産業機器などでSiCデバイスの活用が進むことが期待される。 ... SiCの原子レベルでの酸化を防ぎ、界面の欠陥を大幅に...

炭化ケイ素(SiC)は絶縁破壊電界強度がシリコン(Si)の10倍、バンドギャップが同3倍などの特性を持ち、Siの限界を超えるパワーデバイス用材料として期待される。......

産業技術総合研究所(産総研)ではこれまで新材料の炭化ケイ素(SiC)を用いたパワー半導体デバイスを開発してきた。... その後、SiCパワーデバイスの量産試作ラインを整...

産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センターの原田信介SiCデバイスプロセスチーム長らは、通電時抵抗が世界最小という炭化ケイ素(SiC)トランジスタを開発した。... 0・...

自動車用の電力変換機器を高性能化できる炭化ケイ素(SiC)半導体。... SiC半導体は価格が高く、歩留まりにも改善の余地がある。「SiCデバイスの使用量が増える適切な時期に、適切な価...

「パワートレーン分野では電気自動車(EV)向けインバーターで炭化ケイ素(SiC)デバイスの搭載が増加する。... インバーターに搭載するSiCデバイスや絶縁ゲートバイポ...

スーパーコンピューター「京(けい)」を使った同手法を、次世代パワーデバイスの有力候補である、炭化ケイ素(SiC)デバイス内部の界面における計算に応用した。電子の流れる通...

【京都】京都府立医科大学と福島SiC応用技研(福島県いわき市、古久保雄二社長、0246・38・3868)は22日、炭化ケイ素(SiC)デバイスを活用したホウ素中性子捕捉...

レーザーテックはウエハーの表面と内部の欠陥を検査できる「SiCウエハー欠陥検査・レビュー装置SICA88シリーズ」を2015年9月の発売から1年間で10台納入した。各自動車メーカーは小型化や電力損失を...

高耐圧のシリコンMOSFETの使用が一般的だが、SiC―MOSFETに代替することにより、オン抵抗を8分の1の1・15オームまで低減できる。 ... SiC―MOSFET向けの制御I...

最新の国家プロジェクトの成果であるSiCデバイスを組み込んだこの装置は、PEKURISの「P」をPowerからPlasmaに進化させた製品となっている。

東レ・ダウコーニング 150ミリメートル(6インチ)のSiC(炭化ケイ素)ウエハー製品を三つのプライム・グレードに分けて発売した。性能とコストのバランスがとれた...

東レ・ダウコーニング SiC(炭化ケイ素)ウエハー製品(4インチウエハー)をグレード分けして発売した。性能とコストを両立した「プライム・スタンダード」、ピンダイ...

三菱電機先端技術総合研究所SiCデバイス開発センターの田中梨菜さん(写真)が6月に米ハワイ州で開かれたパワー半導体の国際会議「ISPSD2014」で最も優れた発表をした30歳以下の若手...

パワコンの昇圧回路やインバーター回路などに、電力損失の少ないSiC半導体を搭載。... 「SiCデバイスの量産が本格化し、適正価格になればすぐに市場投入できる」(同社担当者)という。&...

この革新的なデバイスを機器に組み込みやすくするにはモジュール化が欠かせない。 「“フルSiC”パワーモジュール」は内蔵するダイオードとトランジスタをともにSiC製で構成する。... ...