その一例が半導体製造の「心臓」とも言える露光装置。... 線幅数ナノメートル(ナノは10億分の1)世代の最先端半導体の製造に必要な極端紫外線(EUV)露光装置の開発から...

アムステルダムで開催されたテクノロジーシンポジウムに参加したTSMCのケビン・チャン上級副社長はASMLの高NA(開口数)極端紫外線(EUV)露光装置について、「非常に...

前工程では北海道千歳市での生産拠点の建設や、極端紫外線(EUV)露光装置などの設備の導入を進める。 ... 装置の搬入を24年末に行う。

資金は前工程では北海道千歳市でのラピダスの生産拠点の建設や、極端紫外線(EUV)露光装置といった設備導入などを進める。

リンテックは極端紫外線(EUV)露光装置向けに、フォトマスク(半導体回路の原版)の防塵カバー「ペリクル」を開発した。... リンテックは半導体回路パ...

(熊川京花) ラピダスは北海道千歳市に建設中の工場でEUV露光装置を2024年末に導入し、25年に次世代半導体の試作を開始、27年に量産を目指す。EUV露光装置は回路...

次世代半導体の量産を目指すラピダス(東京都千代田区、小池淳義社長)は、北海道千歳市に建設中の工場で微細加工に不可欠な極端紫外線(EUV)露光装置を2...

ラピダス新工場をめぐっては、海外半導体製造装置メーカーも技術支援拠点を開設する方針で、協力体制の整備が進む。 ... 半導体製造装置大手蘭ASMLは24年内にも、北海道千歳市に技術支...

キヤノンは微細な回路をハンコを押すように形成できる「ナノインプリント」の技術を使った半導体露光装置「FPA―1200NZ2C=写真」を発売した。... 極端紫外線(...

経産相、欧米の製造装置各社に協力要請 最先端半導体の開発・生産体制の国内整備に向けて海外連携が広がる。ラピダス(東京都千代田区、小池淳義社長)の北海道千歳市の新拠点の...

光源に化合物のフッ化アルゴンを用いたArF液浸露光装置は、EUVより一世代前の露光装置。... 一方、先端のEUV露光装置は一服感が目立つ。... EUV露光装置を設置するための熟練工も不足している模...

日立製作所、日立ハイテク/原子サイズレベルの計測精度を実現する寸法検査装置「CG7300」の開発 微細化が進む先端半導体の量産ラインで、半導体デバイスの...

先端半導体向けの装置需要も堅調だ。EUV露光装置を手がけるASMLの22年10―12月期の営業利益は同約4%増の21億2400万ユーロ(約3027億円)。EUVに次ぐ微細加工が...

蘭ASML、キヤノン、ニコンの大手3社のうち、唯一極端紫外線(EUV)露光装置の開発に成功しているASMLが市場トップを独走する。... ASML、EUV供給を独占 ...

i線の半導体露光装置は、パワー半導体やアナログ半導体など最先端の露光技術が必要とされない領域で需要が拡大している。... ニコンの21年度の露光装置の販売計画台数は32台で、うちi線の装置が半分の16...

「(半導体性能が1年半から2年で2倍になるという)ムーアの法則は今後10年以降も続いていく見通しで、それを中心的に支えるのが最先端の極端紫外線(EUV)露光装置。......

部材不足が原因で同社の装置の納期が長期化する中、顧客が装置を先行確保しようとする動きが広がっていることが理由の一つ。... 露光装置最大手の蘭ASMLは受注残が196億ユーロ(約2兆5700億...

従来の露光方法向け製品は複数社が供給しているが、最先端の超微細回路を実現するEUV(極端紫外線)露光向けは三井化学が唯一の“正規品”サプライヤーとなった。... 同社はEUV露光装置メ...

EUV露光装置を手がける蘭ASMLが、露光工程の歩留まり低下を防止する「ペリクル(防塵カバー)」を量産用途のEUV向けで初めて開発した。これを受け、半導体メーカーがEUV露光の適用レイ...

同研究所は、回路線幅3ナノメートル(ナノは10億分の1)以下を目指す蘭ASMLの極端紫外線(EUV)露光装置を2023年に稼働予定。... 露光装置と塗布現像装置の一体...