- トップ
- 検索結果
記事検索結果
269件中、11ページ目 201〜220件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.002秒)
東京大学と産業技術総合研究所、住友化学、物質・材料研究機構の共同チームは、化合物半導体とゲルマニウムを使った次世代の高性能トランジスタを開発した。... 化合物半導体を使い、さらにゲルマニウム基板上に...
物質・材料研究機構の白幡直人独立研究者らの研究グループは、ゲルマニウムナノ粒子の発光強度を高めて発光色を変えることに成功した。... ゲルマニウムは化合物半導体に使われるカドミウムや鉛などの元素に比べ...
シリコンやゲルマニウムを研削・研磨する現行手法に変えて、より安価なカルコゲナイドをプレス加工して量産する。... 現在、レンズに使われているシリコンやゲルマニウムはカルコゲナイドより高価なうえ、研削・...
放射線を出す物質を特定する核種分析には、ゲルマニウム半導体検出器を使う。... ゲルマニウム半導体検出器でガンマ線エネルギーの微妙な違いを見分ける ヨウ素131やセシウム134などそ...
「ゲルマニウム半導体検出器を用いたガンマ線スペクトロメトリーによる核種分析法」を利用し、放射性ヨウ素131、セシウム134、同137を調べる。
車両の衝突事故を防ぐ目的などで使う77ギガヘルツ帯の車載用レーダーは現在、化合物半導体やシリコンゲルマニウムなどの材料を使うのが主流。
同2号機でISSの日本実験棟「きぼう」に持ち込む電気炉を使って、無重力下で半導体材料のシリコンとゲルマニウムの混合結晶をつくる実験などを行う。
研究グループは、らせん状のスピン磁気構造を持つ鉄ゲルマニウムを、室温付近で厚さ数十ナノメートル(ナノは10億分の1)の薄膜状に加工した。
東京大学大学院工学系研究科の鳥海明教授らは、15ナノメートル世代(ナノは10億分の1)以降の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)に使う新しい材料として、化合物半導体のゲル...
三角柱形状のシリコン単結晶振動部と、シリコンゲルマニウム薄膜を利用した真空パッケージ技術で実現した。... シリコンゲルマニウム薄膜に微小な穴を開け、そこからフッ酸ガスを吹き付けて真空部を作り、アルミ...
NTTはシリコンフォトニクス研究の草分けである東京大学の和田一実教授らと共同で、ゲルマニウムを搭載した受光器の開発にも成功した。... 富士通は従来のシリコン製に比べ、消費電力を半分以下に減らせるシリ...
兵庫県立大学大学院工学研究科の松尾直人教授らの研究グループは、軟X線(用語参照)を照射してシリコンやゲルマニウムなどの半導体薄膜を従来よりも100―200度C低い温度で結晶化する手法を...
グループが開発したのはゲルマニウム・銅・テルル(GeCuTe)の化合物で、融点は520度C、結晶化温度は240度C。既存のPRAM材料として知られるゲルマニウム・アンチモン・テルル&#...
富士通研究所(川崎市中原区、富田達夫社長、044・754・2613)は、従来のシリコン製に比べ、消費電力を半分以下に減らせるシリコンゲルマニウム製の光スイッチを開発した。... シリコ...
