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その後は東芝メディカルシステムズ(栃木県大田原市)のキヤノンへの売却で債務超過が回避されたことや、NAND型フラッシュメモリ―の需要増の好材料で株価が徐々に復調した。

東芝はNAND型フラッシュメモリー市場で、韓国サムスン電子に次ぐ2位につけている。両社は現在、大容量化など性能向上が可能な3次元構造NAND(3DNAND)で設備投資を加速しており、手...

インタビュー/イノテック社長・小野敏彦氏「海外にも販路開拓」 (2016/12/27 電機・電子部品・情報・通信)

「自社開発のテスター事業では、3次元(3D)構造NAND型フラッシュメモリーの量産ライン向けに受注を期待している。... また自社製品として、害虫や農作物の成長を把握できる飛行ロボット...

TDK、アクセス性能7倍に高めたコントローラーLSI (2016/12/26 新製品フラッシュ2)

TDK 現金自動預払機(ATM)や工作機械など産業用NAND型フラッシュメモリーを制御するコントローラーLSI「GBドライバー RA9シリーズ」を開発した。

昭和電工、韓国SKと半導体用高純度ガスで合弁 (2016/12/20 素材・ヘルスケア・環境)

3次元(3D)構造のNAND型フラッシュメモリーの生産本格化に伴う同ガスの需要拡大に対応する。

「NANDやDRAM、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)の需要が堅調なほか、旧世代向けの新製品需要も出てきた。... 「3次元構造のNAND型フラッシュメモリーの需要増に伴い、ウエハー...

半導体装置業界・冬の陣(2)アドバンテスト社長・黒江真一郎氏ほか (2016/12/7 電機・電子部品・情報・通信1)

3次元構造NAND型フラッシュメモリーの投資も継続している。

TDK、産業向けコントローラーLSI開発-7年ぶり、アクセス性能7倍 (2016/11/18 電機・電子部品・情報・通信2)

TDKは産業用NAND型フラッシュメモリーを制御するコントローラーLSI「GBドライバー RA9シリーズ=写真」を開発した。 ... 書き込み単位がページ当たり2キロ...

東芝、構造改革を最終仕上げ−赤字のテレビ事業、年末商戦が山場 (2016/11/15 電機・電子部品・情報・通信1)

営業損益の黒字化は、NAND型フラッシュメモリー事業の好調が要因の一つ。... 【まず年末商戦】 同事業については国内外での人員削減や、海外での自社事業からの撤退などを行いブランド供...

東芝、四日市工場に新棟建設−来年2月着工 (2016/11/9 電機・電子部品・情報・通信1)

第6製造棟は3次元(3D)構造NAND型フラッシュメモリーの専用工場になる。... 3D構造NAND型フラッシュメモリーや、ReRAM(抵抗変化式メモリー)のような新型...

東芝は米ウエスチングハウス(WH)を含むグループとして沸騰水型原子炉(BWR)、加圧水型原子炉(PWR)の両方式に対応できる。... 東芝は経営危機を乗...

主力のNAND型フラッシュメモリーのほか、ハードディスク駆動装置(HDD)の販売が好調。... 主に中国製スマートフォンの大容量化を背景に、NANDメモリーの売価を維持できているという...

東芝、4―9月期業績予想を上方修正−営業黒字転換 (2016/8/15 電機・電子部品・情報・通信)

また主力のNAND型フラッシュメモリー事業が上向く見込み。 ... NAND型メモリーはスマートフォン向けが伸びる見通し。

東芝、64層3Dフラッシュメモリーを来年前半に量産 (2016/7/28 電機・電子部品・情報・通信1)

東芝は27日、単位面積当たりの容量を従来の1・4倍に高めた3次元(3D)構造NAND型フラッシュメモリー(写真)を開発したと発表した。... また同日、東芝と提携する米...

すでに東芝初の3次元(3D)構造のNAND型フラッシュメモリー量産拠点となる新第2製造棟が稼働し、協業の一歩を踏み出した。

しかし16年1―3月期のスマートフォン市場の鈍化や、15年後半からのNAND型フラッシュメモリーの売価下落を受け、通期計画を低めに想定していた。 ... ■3D型NANDにアクセル−...

市場拡大が見込める3次元(3D)構造のNAND型フラッシュメモリーや、外部記憶装置の「SSD(ソリッドステートドライブ)」に経営資源を集中する。... 7月中に改装工事...

NAND型フラッシュメモリー事業については「世界シェア2位の競争力に加え、全体の市場成長も期待でき、売上高を伸ばせる」と指摘。

TDK、小型SSDモジュール3製品−データ保全機能を向上 (2016/5/10 電機・電子部品・情報・通信1)

コンピューターと記憶装置の接続規格「シリアルATA」(SATA)6ギガbps(ギガは10億)に対応し、NAND型フラッシュメモリーの自社開発制御ICを搭載した。

担当する半導体事業では主力のNAND型フラッシュメモリーに今後3年間で累計8600億円を投じる計画。

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