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産総研、16キロボルト高耐電圧のSiCパワー半導体素子（2013/9/25）

成果の詳細は、12月から米ワシントンで開かれる国際電子デバイス会議(IEDM2013)で発表する。

産総研と物材機構、ダイヤ半導体利用の真空パワースイッチ（2012/12/12）

成果は米サンフランシスコで開催中の半導体素子の国際学会「IEDM」で11日(日本時間)発表した。

LEAP、新構造のMRAM開発−データ保持時間300倍（2012/12/12）

米サンフランシスコで開催中の半導体素子の国際学会「IEDM」で13日(日本時間)発表する。

東北大、エネルギー変換効率50%超の量子ドット太陽電池の構造解明（2012/12/11）

成果は米サンフランシスコで開催中の半導体素子の国際学会「IEDM」で11日発表する。

早大、模擬で実証−集積回路性能、電子特性から20年ごろ限界（2012/12/11）

成果は米サンフランシスコで開催中の半導体素子の国際学会「IEDM」で10日発表した。

東芝、電力消費量10分の1の不揮発性磁性体メモリー（2012/12/11）

成果は米サンフランシスコで開催中の半導体素子の国際学会「IEDM」で12日までに発表する。

産総研、14ナノ世代素子特性のバラつきの要因解明（2011/12/9）

米ワシントンで今週開かれた半導体素子技術で世界最大級の国際学会(IEDM)で発表した。

筑波大、立体構造のナノワイヤ型トランジスタの雑音抑制効果を発見（2011/12/8）

IEDMで発表した。

超低電圧デバイス技術研究組合、再構成可能LSI向け配線スイッチ開発（2011/12/8）

このほど米ワシントンで開催中の半導体素子技術で世界最大級の国際学会(IEDM)で発表した。

産総研、絶縁体基板にグラフェン吸着−機構解明/次世代デバイスに道（2011/12/7）

科学技術振興機構のプロジェクトの一環で開発し、米ワシントンで5日から開かれている半導体素子技術に関する世界最大級の国際学会(IEDM)で詳細を公表した。

パナソニック、遺伝子情報その場診断/ワンチップ化実現へ（2010/12/9）

詳細は米サンフランシスコで開催中のIEDM2010で現地時間8日、発表する。

物材機構など、電極の形成で新手法（2010/12/9）

IEDMで発表した。

東大、CMOS向け新材料をゲルマニウム使い開発（2010/12/9）

IEDMで発表した。

産総研、高誘電率のゲート絶縁膜を作製（2010/12/9）

新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の「次世代半導体材料・プロセス基盤(MIRAI)プロジェクト」の委託を受けて開発し、IEDMで発表した。 ...

阪大、低消費電力でTFT動作する新技術（2010/12/9）

米サンフランシスコで開催中の国際電子デバイス会議(IEDM)で報告した。

ルネサス、混載DRAM技術開発−CMOSプロセスを導入（2010/12/9）

米サンフランシスコで開催中の国際電子デバイス会議(IEDM)で発表した。

日立、折り曲げ可能な無線デバイス電波で電力送信（2010/12/7）

米サンフランシスコで開催中の国際電子デバイス会議(IEDM)で7日に発表する。

東大と産総研など、CMOSトランジスタの基本技術を開発（2010/12/7）

IEDMで詳細を発表する。

東芝、立体構造トランジスタに応力かけて性能向上させる技術開発（2010/12/7）

IEDMで8日に発表する。

パナソニックとIMEC、共振特性高く低電圧駆動のMEMS共振器（2010/12/7）

詳細の一部は米サンフランシスコで開催の国際電子デバイス会議(IEDM)で現地時間6日、発表する。

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