- トップ
- 検索結果
記事検索結果
25件中、2ページ目 21〜25件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.006秒)
東芝の半導体メモリー子会社、東芝メモリは28日、記憶素子を96層積み重ねた3次元(3D)構造のNAND型フラッシュメモリーを開発したと発表した。 ... 単位面積当た...
量産を検討するのは3次元NAND型フラッシュメモリーと、ReRAM(抵抗変化型メモリー)の2種類。... サムスンも3次元NAND、MRAM(磁気抵抗メモリー)、ReR...
(栗下直也) 東芝は13年にも、データを記憶するセルを従来の平面方向でなく垂直に積層する3次元NAND型フラッシュメモリーを投入する。... NAND型フラッシュメモ...
東芝が2013年にもNAND型フラッシュメモリーの後継となる“ポストNAND”を実用化する可能性が高まってきた。... 微細化の限界が見え隠れする中、東芝が“ポストNAND”として有力視するのがセルを...
NAND型フラッシュメモリーの回路線幅は現在、20ナノメートル(ナノは10億分の1)台だが、3年後には10ナノメートル台半ばに突入すると予想される。... 2期工事完成後の2010年代...
