- トップ
- 検索結果
記事検索結果
728件中、3ページ目 41〜60件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.003秒)
(飯田真美子) SiCパワー半導体は一般的なシリコンパワー半導体よりも電力損失を10分の1以下に抑えられ、高い電圧への耐圧・耐熱性に優れている。
ロームは1200ボルト耐圧の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)「RGAシリーズ」が、独セミクロンダンフォス(ニュルンベルク市)のパワーモジュール製品に採用され...
オーブレーは不純物の添加によって電流を流すことが可能な「p型導電性ダイヤモンド基板」の開発を、ミライズは耐圧保持構造の開発などを担う。
電源などを手がける台湾のデルタ電子の関連会社と、650ボルト耐圧のGaN製高電子移動度トランジスタ(HEMT)を共同開発し、量産を始めた。... ロームは2022年から150ボルト耐圧...
入力した電気信号を光信号に変えて、最大7ミリメートルの間隔をとった回路を経て結ぶことで高耐圧の絶縁性を確保した。
パワーデバイスにバンドギャップ(電子が存在できない領域の幅)の大きい酸化イリジウムガリウムが使用可能になり、より高耐圧用途に展開することが期待される。 ... ただ特...
モジュールの小型化に貢献したほか、モジュールを搭載した高耐圧モーターや電源などの高効率動作が可能となった。
これまでに研究グループが独自で開発し、北大発ベンチャーのライラックファーマ(札幌市北区)で販売しているLNP用のマイクロ流体デバイス「iLiNP」を基盤に、耐圧・耐薬品性の高い合成石英...
アルミ飲料缶の底部の強度を保ったまま、軽量化を可能とする缶底耐圧強度向上技術(CBR)を開発。
SiCはシリコン(Si)製パワー半導体よりも耐圧性能が高く、インバーター効率を上げるための高速駆動(スイッチング)が可能で、EVの走行距離を伸ばせるため採用が増えている...
その結果、組織が均一で緻密、内部欠陥が少なく、機械的性質や耐圧性が向上し、歩留まりが良く低コスト―といった利点を持つダイカスト部品の量産を可能にしている。
東芝デバイス&ストレージは低耐圧の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)や小信号デバイスなど、一つの素子に端子などを付けて樹脂でパッケージするディスクリート半導体...
厚膜の特徴を生かし、センサー用のほか、炭化ケイ素(SiC)が現状使われるパワー半導体の領域で、超高耐圧デバイス用に提案。
電力変換用高耐圧集積回路大手の米パワー・インテグレーションズ(PI)は、同社のオンライン電源設計ツール「PIエキスパート」に平面型磁性部品ビルダーを搭載したと発表した。 ...
24時間ヘリウムガスが漏洩しないことを確認する耐圧気密試験では、結果から漏れがないことが分かってほっとしたという。
