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記事検索結果
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四国電力は耐圧性能と作業性を両立した作業用安全手袋「プレスガード」を開発、ダイコープロダクト(香川県東かがわ市)を通じて発売した。... 約400キログラムまでの耐...
電力変換用高耐圧集積回路大手の米パワー・インテグレーションズ(PI)は、オンラインビデオ技術サポートサービス「PowerPros」を発表した。
第1弾となる耐圧750ボルト、定格電流300アンペア品のサンプル出荷を始めた。
【佐賀】中村電機製作所(佐賀市、中村信夫社長)は、耐圧防爆仕様の振動センサー「Nevo-01=写真」を発売した。
VIPERGAN50は耐圧650ボルトで、幅6ミリ×奥行き5ミリメートルの小型で放熱性が高いパッケージに内蔵しており、基板上で周辺部品を高密度に実装可能だ。
これまで数百ボルト級の中耐圧デバイス向け製品が開発された。 高耐圧対応のためには、Si基板に十分な厚さのGaN層を成長させる必要がある。... 将来は高耐圧領域で置き換えを狙う」とノ...
酸化ガリウム半導体は、シリコン製の従来の半導体に比べてデバイスの消費電力の低減や高耐圧化を実現できる。
大陽日酸は尼崎事業所(兵庫県尼崎市)に高圧ガス容器の再検査を行う総合耐圧検査場を新設し、月内に稼働する。... 高圧ガス容器は種類ごとに再検査期間が定められ、定期的...
「パワー半導体の耐圧性を高めるためにはウエハーの品質向上が重要」と説くのは、名古屋大学准教授の原田俊太さん。耐圧性を高めるために素子を大面積化するためだ。
【京都】ロームは同社従来品より電力変換時の電力損失を低減した650ボルト耐圧のダイオードを2シリーズ開発し、量産を始めた。
【京都】ロームは従来製品より耐圧性を高めた窒化ガリウム(GaN)パワー半導体の開発・量産に向け、台湾のデルタ電子と戦略的パートナーシップを締結した。データセンターなどの電源シ...
独インフィニオン・テクノロジーズは、1200ボルト耐圧の炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「Cool...
高温高耐圧のパワー半導体の開発につながる。 ... 冷却ができない人工衛星など、高温高耐圧のパワーデバイスの開発につながる。
生産子会社のローム浜松(浜松市南区)にGaN専用ラインを導入、150ボルト耐圧のGaN製高電子移動度トランジスタ(HEMT)を量産する。
600ボルト耐圧スーパージャンクション構造の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「プレストモス」に、業界最速の逆回復時間(trr)とオン抵抗の低減を両立...
