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SCMは、以前からあるメモリーシステムの階層構造(図)の中で、主記憶として使われるDRAMと、外部記憶装置(ストレージ)の間に位置する。高速なDRAMと低速なストレージ...

DC向け鈍く、反発力なく 【米中交渉の行方】 パソコンなどのデータの一時記憶に使うDRAMの価格は下げ渋っている。... 年末商戦に向けてスマートフォンやパソコンな...

電子デバイス業界の市場動向については、「DRAMやNAND型フラッシュメモリーの状況は良くないが、12月くらいから復活するだろう」と予測。

【マイナス影響】 パソコンなどのデータの一時記憶に使うDRAMの価格下落が続く。... 第4弾でもっとも影響を受けるのはスマートフォンとパソコンで、それはまさにDRAMの主要顧客に他...

東芝メモリ、128Gbitの次世代メモリー開発 (2019/8/7 電機・電子部品・情報・通信1)

従来のNAND型フラッシュメモリーと比べて約10倍高速で、性能面でDRAMに近づけることに成功した。

三菱電機では00年初頭のITバブルの崩壊後、半導体メモリーのDRAMやマイコン、複数の半導体チップを組み合わせたシステムLSI、携帯電話事業などを本体から切り離した。

さらにサムスンは日本の輸出規制が長引く場合、DRAMの段階的な減産を含む「緊急措置」も検討していると報じた。

同じくサムスンが手がけるDRAM生産の減速は、米マイクロン・テクノロジーの広島工場(広島県東広島市)の稼働にも影響を与える。

マイクロンは広島工場で着工済みのDRAM製造棟「F棟」について、増設工事の一部を当初計画より7カ月遅らせる方向。... 同工場はマイクロンにとって最先端DRAMの生産拠点。

企業信用情報/13日・14日・17日 (2019/6/18 総合2)

【数字の見方】 (1)業種(2)所在地(3)資本金(4)代表者(5)負債額(6)事由&...

米マイクロン、広島のDRAM新棟稼働 最先端プロセス対応 (2019/6/12 電機・電子部品・情報・通信1)

ここに最先端の生産プロセスを導入し「1Y」と呼ぶ線幅16ナノメートル(ナノは10億分の1)のDRAMの生産を始めたほか、2019年内には「1Z」と呼ぶ同13ナノメートルの生産を始める。...

平成30年のあゆみ/重電 勝てる市場「電機復権」のカギ (2019/4/30 電機・電子部品・情報・通信)

パソコンのメモリーに用いるDRAMメーカーのエルピーダメモリが破綻した日だ。... 当時、DRAMは韓国のサムスン電子以外、各社が赤字だった。... 日本の半導体メーカーはDRAMで韓国勢に押され、2...

【過剰在庫】 パソコンなどのデータの一時記憶に使うDRAMの価格下落が止まらない。... 米社のCPU不足を巡っては単なる生産不具合にとどまらず、あえてDRAM価格低迷を狙っていると...

第61回十大新製品賞/本賞 日立製作所 次世代ストレージ製品 (2019/1/31 電機・電子部品・情報・通信2)

キャッシュ(DRAM)に一時保存された直近のアクセスデータを探し、連続性を確認し、切換制御機能にフィードバックすることで自動切換を実現。

【供給過剰感】 パソコンなどのデータの一時記憶に使うDRAMの価格が下落に転じそうだ。... 【出荷台数6%減】 足元ではDRAM需要全体をけん引してきたス...

中でも、半導体製造プロセスに使用される石英製品、セラミックス製品、シリコンパーツ、炭化ケイ素シリコンカーバイド(CVD‐SiC)製品といったマテリアル製品はスマートフォン、携帯端末やデ...

2社がマイクロン製の半導体DRAM(記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー)の製造技術などを持ち出したと判断した。

淀川ヒューテック、フッ素樹脂製配管を増産 半導体製造装置用 (2018/10/25 電機・電子部品・情報・通信2)

19年はDRAM向け製造装置での利用を見込む。

DRAM、NANDメモリーチップは、マイクロンと東芝製品を採用。「iPhone7」を分解した以前の調査結果によると、サムスン電子のDRAMチップが搭載されていた。 ... ...

サムスンはDRAM(記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー)のビット成長率(記録容量ベースの成長率)を20%未満と予想し、NANDフラッシュは30&#...

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