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帯電させてから糸にする電界紡糸法を使う。... 石井助教らは2019年に北陸先端科学技術大学院大学と電界紡糸法でポリスチレンを繊維化し、圧力による歪みで電気が発生する正圧電的特性の付加に成功。... ...

ロームの炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)チップなど用い、電気自動車(EV)の駆動部向けインバーターなど開発する。

開発は不発弾探査向け磁気探知器や、水中の電位差を測る電界センサーなどを手がける同事業部の磁気装置部が担当した。

ローム、低オン抵抗のパワー半導体 車載駆動装置向け (2020/6/17 電機・電子部品・情報・通信1)

【京都】ロームは、単位面積当たりのオン抵抗が業界最小のパワー半導体「1200ボルト 第4世代 SiC(炭化ケイ素)MOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジ...

バイオマーカーの検出、呼気の分析などに用いる化学センサーとしてイオン感応性電界効果トランジスタ、触媒燃焼型ガスセンサーなどがすでに実用化されているが、使用の都度調整を必要とし、センサー表面の清浄・活性...

本方式の技術的な要諦は、2次元型受光デバイスによる高速かつ空間的な光電界の観測と、観測データから、従来は検出困難だった光位相を高速に検出する非線形最適化アルゴリズムにある。

【名古屋】ユニケミー(名古屋市熱田区、浜地清市社長、052・682・5069)は、電界放出型走査電子顕微鏡(FE―SEM)を使い、ABS樹脂のメッキ密着性を解析するサー...

開発した試作機は、電極に直径2ミリメートル程度の細胞とDNAなどを封入した水系の液滴を載せ、直流電界をかけると液滴が電極間を往復運動し、液滴内の細胞膜に瞬間的に遺伝子導入される。

夜間に広範囲をEL測定 トーエネックは、飛行ロボット(ドローン)によるEL(エレクトロ・ルミネッセンス=電界発光)測定での太陽光発電パネル検査...

フレキシースクラムの技術は、電界加工によって金型表面にマイクロメートル(マイクロは100万分の1)サイズの多数のくぼみを設ける。

FLOSFIA、MOSFET試作 素子性能、SiC製の2倍超 (2020/1/16 電機・電子部品・情報・通信2)

【京都】FLOSFIA(フロスフィア、京都市西京区、人羅(ひとら)俊実社長、075・963・5202)は、独自の酸化ガリウム製半導体を用い、素子性能を表す移動度が一般の...

オムロン、MOSFETリレーモジュール発売 漏れ電流1ピコアンペア以下 (2019/12/5 電機・電子部品・情報・通信1)

【京都】オムロンは漏れ電流が同社従来品比1000分の1となる1ピコアンペア以下の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)リレーモジュール(写真)を発売した。

高周波チョッパは、電界放出型電子銃で品質の良い電子ビームを入射した後、マイクロ波に同期して左右に電子ビームを振動させ、最も良い電子ビームだけを切り出すことができる。

三菱電、SiC製MOSFET開発 素子抵抗率半減 (2019/10/8 電機・電子部品・情報・通信2)

三菱電機は、1平方センチメートル当たりの素子抵抗率が従来比約50%減の1・84ミリオームと世界最高水準を達成した炭化ケイ素(SiC)製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&#...

日本電子/分解能・操作性向上した走査電子顕微鏡 (2019/9/30 新製品フラッシュ2)

日本電子は新型ショットキー電界放出形走査電子顕微鏡「JSM―F100」を発売した。

熱電界放射型電子銃の「超高解像度システム」は6800万円(同)で、加速電圧30キロボルトで横方向1・2ナノメートル、縦方向1ナノメートルの測定分解能を持つ。

ローム、4端子SiCトランジスタ スイッチング損失35%減 (2019/8/29 電機・電子部品・情報・通信1)

【京都】ロームはスイッチング損失を同社従来品比35%低減した、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の新製品(写真&#...

東芝デバイス&ストレージ、ITバーチャル展に出展 (2019/8/28 電機・電子部品・情報・通信2)

次世代自動車を支える技術、ハードディスク駆動装置(HDD)の大容量化技術、低コスト・低騒音・高効率のモーター駆動技術、フォトリレー技術、最新低耐圧MOSFET(金属酸化膜半導体...

フィルム状態では同特性を持たないポリスチレンでも、溶液に高電圧をかけて糸を作る電界紡糸法で繊維化し膜を作ると高度な圧電特性がみられた。... 研究グループは電界紡糸法により、ポリスチレン溶液から不織布...

ローム、車載カメラの小型化後押し 新型トランジスタ開発 (2019/7/23 電機・電子部品・情報・通信1)

【京都】ロームは車載カメラの小型化を後押しする金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。

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