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EH5000は、エンジンで発電機を駆動し、発電機からの電力を絶縁ゲート・バイポーラトランジスタ(IGBT)インバーターで制御して走行用モーターを駆動する仕組み。

日昌の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュール筐(きょう)体のインサートモールド成形技術を応用した。

現在主流のシリコン製絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)と比べてスイッチング損失は85%減。100キロヘルツ以上の高周波で動作できるため、定格電流値が数倍のIGBTから...

EHシリーズは、エンジンで発電機を駆動し、発電機からの電力をIGBTインバータで制御して走行用モーター(AC)を駆動する。

大容量新素子の絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ(IGBT)を16個搭載し、2000キロワットを出力できる。

「絶縁ゲート・バイポーラトランジスタ(IGBT)は、ハイブリッド車(HV)などの環境対応車や洗濯機をはじめとする家電製品向けに需要が拡大している。

ルネサスエレクトロニクスは動作に必要な電圧を12―15%低減した第7世代の絶縁ゲート・バイポーラトランジスタ(IGBT=写真、一目盛りは1ミリメートル)を開発した。

パワー半導体をすべてSiCで構成した産業機器向けの「フルSiCモジュール=写真」の場合だと、従来の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールに比べて電力損失を約70...

インバーター(逆変換装置)の電力損失を低減できるとして、現在主流のシリコン(Si)製絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の置き換えを狙う。...

富士電機は省エネ効果があるパワー半導体を使った絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)モジュール(写真)を開発した。

チップと配線や基板を一体化した「IGBTモジュール」は29%のシェアで首位にある。

三菱電機は、電力変換装置向けのIGBTモジュール「MPDシリーズ=写真」の新製品3機種を31日に発売する。

開発したインバーターは同社が開発した、SiCのダイオードとSiの絶縁ゲート・バイポーラトランジスタ(IGBT)を組み合わせた、3・3キロボルトのSiCハイブリッドモジュールを採用。

三菱電は大容量の「IGBT」と呼ばれるパワー半導体で世界トップ。

インバーターなどに組み込むIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)と呼ばれるパワー半導体を月5万台生産する。

SiC製ダイオードとSi製絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)で構成する同モジュールとの比較でもスイッチング損失を65%低減する。

当社のパワー半導体はIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)や制御ICをひとつのモジュールにして提供している。

制御ICやIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)と組み合わせたモジュールとしてどれだけ単価を下げつつ、高い性能を出せるかが勝負を分ける。

インバーターなどに組み込むIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)を鉄道などの産業向けや自動車向けに拡販する。IGBTのシェアを13年に10年に比べ5ポイント増の20%に引...

従来機は低圧のIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)しかないため、インバーターのほかに変圧器を複数台を並べる必要があった。同社は6・6キロボルト対応の高圧対応IGBTを開発して変...

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