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記事検索結果
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敏之はさまざまな医療機器を考案していく中で、超高圧の電界に体を置く医療機器に着目した。安全性を証明するため、1928年には、100万ボルトの交流高圧電界装置の人体負荷実験に成功する。... その後、ス...
京大とTDKなどのグループが、現在のCMOS(相補型金属酸化膜半導体)半導体に代わるものとして、2014年に開発した「スピン金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(スピンMOSF...
【新棟を建設】 ロームは、SiC製のショットキーバリアーダイオード(SBD)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のメーカーとして、世...
FM放送は複数の局から同じ周波数を発射すると、電波が重なる等電界エリアでは局間の距離差による遅延時間が生じ、音質が低下する。... 電波測定車で対象エリアの受信電界と音声品質を観測して回った。
同社はこのほど、縦型GaNを使った金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)や直流(DC)/DCコンバーターなどを試作した。
粒子を摩擦帯電させた状態で衝突させると、板の表面でプラズマが発生して粒子が形成され、目標基板の表面に着地して絶縁破壊電界強度の高い薄膜を高速で成膜すると考えられる。絶縁破壊電界強度20メガボルト&#x...
特に等電界エリアは影響が大きく、音質が低下するため、局ごとに異なる周波数にせざるを得なかった。 ... GPS(全地球測位システム)の1秒パルスを基に遅延時間差をなく...
京都大学化学研究所の小野輝男教授らは、高輝度光科学センターや東京大学、三重大学、電力中央研究所と共同で、白金に電界を加えたときに起こる変化の仕組みを解明した。... 他の磁性金属に電界を加えたときの現...
【超薄膜化】 この課題の解決に向けて産総研で取り組んでいるのが、電界によって磁化の向きを制御する新技術の確立である。... それは金属に電界をかけても、その効果は界面付近だけで、内部...
わが国では、周波数、電力、電界・磁界の強さについて、計量法にて定義がなされているが、図に示すように、計量法の下での国家計量標準の供給体制がいまだ不十分であるために、電波法で定められた測定器の全てについ...
ルネサスエレクトロニクスは、宇宙産業向けに放射線耐性を持つ窒化ガリウム(GaN)電界効果トランジスタ(FET)と、GaNFETドライバーICを発売した。... シリコン...
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)とダイオードの両方にSiCを採用。
宇宙航空研究開発機構(JAXA)と富士電機は、放射線耐性に優れ、電流損失を低く抑えられる「宇宙用SJパワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&...
高性能なスピントロニクス素子の作製には、磁界や電流注入ではなく、電界で制御することが必要。だが、電界が遮られる金属強磁性体(磁石)では従来、それが困難であり課題だった。 ...
高いバンドギャップや絶縁破壊電界が大きいなどの特性から、シリコンや炭化ケイ素(SiC)に代わる低損失の次世代パワー半導体材料として期待されているという。
東芝は次世代パワー半導体として期待される窒化ガリウム素子「金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ」(MOSFET)の実用化につながるプロセス技術を開発した。
「車載、産業機器向けの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)に最も力を入れている。
