エレクトロニクス
サンケン電気、ＳｉＣ半導体参入−１３年めどに量産
掲載日 2011年04月25日
サンケン電気は炭化ケイ素（ＳｉＣ）半導体市場に本格参入する。２０１３年をめどに素材にシリコンに替わりＳｉＣを使用したパワー半導体を量産する。同社は、すでに、窒化ガリウム（ＧａＮ）を使った半導体を１３年に量産する意向を示している。省電力効果があるパワー半導体は市場が急拡大しており、電力損失が少ない次世代半導体を拡充し、需要を取りこむ。
国内工場で生産する見通し。次世代半導体で、ＧａＮ、ＳｉＣの二つの素材を事業化することになるが、高耐圧品をＧａＮ、低中耐圧品をＳｉＣと用途により使い分ける。ＳｉＣ製の半導体は省エネルギー効果が高い。インバーターに使用した場合、シリコン製に比べて電力損失を５割以上抑制できるといわれる。
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